Компания Hynix представила память типа HBM2

SK Hynix добавила в каталог продукции память типа HBM (high-bandwidth memory) второго поколения, что означает скорое начало массового производства и отгрузку продукции клиентам. В первую очередь, компания представит сборки ёмкостью 4 Гбайт, но с разной тактовой частотой, которые будут использоваться для графических и вычислительных карт. В дальнейшем ассортимент будет расширен.

В ближайшие недели или месяцы SK Hynix начнёт поставки 4-Гбайт сборок памяти HBM2 на базе четырёх DRAM-устройств ёмкостью 8 Гбит, которые соединяются при помощи технологии TSV (through silicon via). Каждая микросхема DRAM использует протокол DDR и разделяется на два 128-разрядных канала c 2n-архитектурой предварительной выборки (prefetch), каждый из которых может работать на собственной тактовой частоте и в разных режимах (более подробно об архитектуре HBM2 можно почитать тут).

Сборка HBM2 из нескольких микросхем DRAM на базовой логической матрице называется KGSD (known good stacked die). При этом каждый конкретный тип сборки имеет собственное название по количеству слоёв (n устройств DRAM + базовая логика). Так, сборка на основе четырёх устройств DRAM называется 5mKGSD.

Скорость передачи данных первых микросхем HBM2 производства SK Hynix составит 1,6 Гтрансфер/с (H5VR32ESM4H-12C) и 2 Гтрансфер/с (H5VR32ESM4H-20C), что означает пиковую пропускную способность 204 Гбайт/с и 256 Гбайт/с соответственно.

Ранее в этом году неназванный представитель SK Hynix говорил в интервью с Golem.de о намерении компании начать массовое производство HBM2 в третьем квартале этого года. Добавление новых KGSD в каталог продукции подтверждает планы компании. Стоит учитывать, что производители оперативной памяти не объявляют о начале массового производства до того, как наберут достаточно микросхем для первой коммерческой поставки клиентам (или клиенту). Таким образом, SK Hynix может уже производить HBM2, но не заявлять об этом публично.

Как уже отмечалось, для производства HBM2 компания SK Hynix использует технологический процесс 21 нм (против 29 нм в случае с HBM первого поколения), что должно благоприятно сказаться на частотном потенциале новых KGSD. В дополнение к 4-Гбайт сборкам на базе четырёх 8-Гбит микросхем (4Hi, 5mKGSD), SK Hynix планирует предложить KGSD ёмкостью 2 Гбайт и 8 Гбайт на основе двух (2Hi, 3mKGSD) и восьми (8Hi, 9mKGSD) DRAM-устройств.

Все HBM2 производства SK Hynix будут иметь напряжение питания VDD/VDDQ 1,2 вольта и размеры 7,75 мм × 11,87 мм (91,99 мм2).